SKM100GB125DN

Features:

  • N channel, homogeneous Si
  • Low inductance case
  • Short tail current with low temperature dependence
  • High short circuit capability, self limiting to 6 x Icnom
  • Fast & soft inverse CAL diodes
  • Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology
  • Large clearance (10 mm) and creepage distances (20 mm)

Typical Applications:

  • Switched mode power supplies at fsw > 20 kHz
  • Resonant inverters up to 100 kHz
  • Inductive heating
  • Electronic welders at fsw > 20 kHz

SKM100GB125DN

SEMITRANS® 2N
VCES 1200 V
IC 75 A
No. do produto: 21915390
Peso líquido (unidade): 0.21 kg
Tariff Code: 85412900
NCM: 85412920
País de origem: Italy
Fabricante: SEMIKRON
datasheet
+ impostos R$ 310,46

  Disponibilidade prevista a partir de 12-12-2017
Preço por peça  
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