SKM200GB063D

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Features:

  • N channel, homogeneous Silicon structure (NPT - Non punch-through IGBT)
  • Low tail current with low temperature dependence
  • High short circuit capability, self limiting if term. G is clamped to E
  • Pos. temp.-coeff. of VCEsat
  • 50 % less turn off losses
  • 30 % less short circuit current
  • Very low Cies, Coes, Cres
  • Latch-up free
  • Fast & soft inverse CAL diodes
  • Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology without hard mould
  • Large clearance (13 mm) and creepage distances (20 mm)

Typical Applications:

  • Switched mode power supplies
  • AC inverter servo drives
  • UPS uninterruptable power supplies
  • Welding inverters

SKM200GB063D

SEMITRANS® 3
Superfast NPT-IGBT Modules
VCES 600 V
IC 200 A
No. do produto: 22890053
Peso líquido (unidade): 0.325 kg
Tariff Code: 85412900
NCM: 85412920
País de origem: Slovakia
Fabricante: SEMIKRON
datasheet
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  Disponibilidade prevista a partir de 18-02-2020
Preço por peça  
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